Eötvös Loránd Tudományegyetem
Természettudományi Kar
Fizikai Intézet

 
   

 

 

 

 

 

alapszakos szakdolgozati téma részletei

LEZÁRVA!

A kiíró adatai
Név: Csonka Szabolcs
Tudományos fokozat: PhD
Intézet: BME TTK, Fizika Tanszék
Telefonszám: +36-1-463-3056
Honlap: http://nanoelectronics.physics.bme.hu/people

 

A alapszakos szakdolgozati téma:
Címe: BiTeI nanoáramkörök készítése és vizsgálata
A munka jellege: kísérleti
Szakterületi besorolás: Anyagtudomány, szilárdtestfizika
A téma rövid leírása: Kétdimenziós kristályok családja napjaink nanofizikájának egyik legaktívabban kutatott területe. Mára a grafénen kívül számos számos anyagból lehet néhány atomsor vastag rétegeket létrehozni, ezek között vannak vezet?, szigetel? vagy akár szupravezet? anyagok is. Ezen kétdimenziós kristályokból felépített heterostruktúrák új távlatokat nyitnak nanoelektronikai alkalmazások létrehozására. A szakdolgozat célkit?zése, hogy megvizsgálja a lehet?ségét annak, hogy BiTeI illetve BiTeBr tömbi kristályokból is létrehozhatóak-e kétdimenziós kristályok, amit réteges kristályszerkezetük alapján várhatnánk. BiTeI ill. BiTeBr gigantikus spin-pálya kölcsönhatással bíró kristályok, a beépített nagy elektromos térnek illetve a Bi magas rendszámának köszönhet?en. Néhány atomsor vastagság BiTeI-t grafénre helyezve az a várakozás, hogy az er?s spin-pálya kölcsönhatás proximity effektussal a gafénbe is átörökl?dik. Ennek köszönhet?en a spin-pálya kölcsönhatás hangolásával új spintronikai funkciók megvalósítását tenné lehet?vé grafénben. További érdekessége a grafén/BiTeI hibrid rendszernek, hogy grafént BiTeI rétegek közé szenvicselve topologikusan elektron állapotok megjelenését jósolják elméleti számítások.
Szakdolgozat keretében a jelölt megismerkedik kétdimenziós kristályok létrehozására szolgáló exfoliációs technikákkal, vékony BiTeI/BiTeBr rétegeket fog létrehozni, majd ezeket min?síti különböz? módszerekkel (optika, AFM). Elektron sugaras litográfiai alkalmazásával, a jelölt megvizsgálja BiTeI kristályok kontaktálási lehet?ségeit a kontaktáló fém anyagának, a határfelület min?ségének függvényében. Célunk, hogy BiTeI nanokristályokból els?ként készítsünk térvezérelt tranzisztort, melyben a vezetési sáv aljába hangolva a Fermi-szintet a gigantikus spin-pálya kölcsönhatás jelenlétét lehet igazolni, pl. gyenge lokalizációs mérések segítségével.
Szükséges előismeretek: Alapos szilárdtestfizikai és kvantummechanikai el?ismeretek, jó angol nyelvtudás, motiváció kísérleti munkára.
Egyetemi konzulens: Oroszlány László
Tanszék: Komplex Rendszerek Fizikája Tanszék

 

 

 

Programozás és grafika:
Pozsgai Péter