Eötvös Loránd Tudományegyetem
Természettudományi Kar
Fizikai Intézet

 
   

 

 

 

 

 

mesterszakos diplomatéma részletei

LEZÁRVA!

A kiíró adatai
Név: Radnóczi György
Tudományos fokozat: DSc
Intézet: MTA Műszaki Fizikai és Anyagtudományi Kutatóintézet 1121 Budapest, Konkoly-Thege M. u. 29-33.
Telefonszám: 392-2687
Honlap: http://people.mfa.kfki.hu/radnoczi/

 

A mesterszakos diplomatéma:
Címe: Cu-Mn ÖTVÖZETRÉTEGEK SZERKEZETE ÉS MORFOLÓGIÁJA
A munka jellege: kísérleti
Szakterületi besorolás: Anyagtudomány, szilárdtestfizika
A téma rövid leírása: A CMOS (integrált áramkör, memória) technológiában az egyre kisebb méretű eszközök létrehozására törekvés miatt, napjainkban a 30-50 nm tartományokban kell tudni meghatározott tulajdonságú és morfológiájú rétegeket létrehozni. Ilyen méretű eszközök gyártása során szükségessé válik, hogy egy technológiai lépésben több folyamat is lejátszódjon, s ezáltal több funkcionális tulajdonság is önszerveződő módon alakulhasson ki (pl. diffúziós barrier és kontaktusréteg félvezető szerkezetekben). A kiírt téma az INTEL írországi fejlesztői által kezdeményezett projekthez kapcsolódik. A fejlesztés során a Cu-Mn modellrendszert vizsgáljuk, annak a CMOS technológiában való ígéretes alkalmazási lehetőségei miatt. A jelentkező ebbe a munkába kapcsolódhat be. Feladata nemegyensúlyi feltételek között (porlasztással) Cu-Mn ötvözetrétegek készítése, s ezek elektronmikroszkópos módszerekkel való vizsgálata. A munka célja, hogy a jelentkező feltérképezze a rétegek morfológiájának és szerkezetének változását az összetétel függvényében, s ezek alapján a réteg kialakulásának atomi mechanizmusait feltárja. A réteg kialakulására modellt alkosson és a rendszer szerkezeti zóna diagramját felépítse.
A feladat kísérleti része az MTA MFA vékonyréteg fizikai osztályán zajlik.
Szükséges előismeretek: A BSc tananyag
Egyetemi konzulens:
Tanszék: Anyagfizikai Tanszék

 

 

 

Programozás és grafika:
Pozsgai Péter